詳細スペック

型番 MZ-VAP1T0B-IT
シリーズ 9100 PRO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (5.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ 1GB Samsung Low Power DDR4X SDRAM
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 14700MB/sec ランダムリード:最大 1850000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 13300MB/sec ランダムライト:最大 2600000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2025-03-26